維修心得2

醫(yī)療設備維修心得

摘要：隨著改革開放的不斷深入，國家對民生的關注和支持力度的不斷加大。以及全球一體化進程的加快的進程下，中國醫(yī)療設備行業(yè)更是得到了突飛猛進的發(fā)展。維護好，保護好醫(yī)療設備是每一位醫(yī)療設備維修工程師的職責。關鍵字：現(xiàn)代醫(yī)學醫(yī)療設備X線管球

隨著現(xiàn)代科技的日益發(fā)展，醫(yī)療設備在治愈疾病，減輕患者痛苦的過程中發(fā)揮著不可替代的作用。醫(yī)療設備的精確度對患者健康的恢復，幫助醫(yī)師更加快速的診斷病情的功用是無法企及的。高、精、尖的醫(yī)療器械的逐漸出現(xiàn)，對于我們維修工程師的業(yè)務素質(zhì)的要求也越來越高。

大多數(shù)的醫(yī)療設備都是非常精密的機器，而且涉及到許多領域，品種類型號也非常的繁多。雖然，醫(yī)療設備的維修與普通民用儀器的維修有許多共通之處，但是也有其特殊性，因為醫(yī)療設備的精確性關系到病人病情的診斷和治愈。比如說在直接用于病人的機器上，其安全性是重中之重。因此，對于任何一位工程師來說對其所要維護、保養(yǎng)、維修的機器一定要非常的熟悉。在醫(yī)院引進一臺新型的儀器是，首要的就是認真閱讀儀器的說明書，對這個儀器的各種功能、指標都要諳熟于心。并且還要對各種儀器特殊的特殊的環(huán)境要求了解透徹，同時我們有責任教會醫(yī)護人員正確操作使用儀器。在挑戰(zhàn)中成長，在不斷地學習中積累經(jīng)驗，對我們維修工程師來說這亦是提高自身能力的最有效的途徑。本人在從事醫(yī)療設備維修工作中，邊學習邊摸索，工作十多年以來，面臨著各種各樣的挑戰(zhàn)。從不熟悉到熟練、一步一個腳印地認真做好每一項工作。在此，我僅對我以往的一些實踐案例做一些簡略的介紹。

經(jīng)過多年的工作總結，就X線管球而言，我認為球管損壞一般不外乎如下幾個原因：1、燈絲開路或半開路。

這一類型的故障現(xiàn)象主要表現(xiàn)為，盡管有高壓加上，但是無管電流或電流不穩(wěn)定。對于x線球管來講，只要陰極燈絲加熱到有電子發(fā)射能力，在陰陽兩極間加上正向高壓，其兩極間必定有電流通過.有高壓而無管電流，在查燈絲供電又正常的情況下，多為球管燈絲開路。這可通過直接測量燈絲電阻確認。需要注意的是：有時燈絲處于半開路狀態(tài)，時通時不通，工作時加熱引起開路，而斷電時冷卻又連通，往往引起誤判。2、管芯真空度下降或管芯玻殼破損。

該故障主要表現(xiàn)為，過載報警。這種情況由機器的其它原因造成的可能性極小。造成管芯真空度下降的原因大概有兩種，一是由于球管自身或機器控制部分因素造成金屬靶面受損、汽化，引起管內(nèi)真空度降低；二是由于球管長時間不使用，造成管芯有氣體滲入及管芯玻殼有裂紋造成有油滲入，油經(jīng)高溫碳化，產(chǎn)生氣體，造成管芯內(nèi)真空度下降。3、旋轉(zhuǎn)陽極不轉(zhuǎn)。

這類故障發(fā)生時，報警顯示旋轉(zhuǎn)陽極故障。屬于球管本身引起該故障的原因不外乎兩種，一是旋轉(zhuǎn)陽極定子線圈損壞（開路或短路）；二是旋轉(zhuǎn)陽極轉(zhuǎn)子卡死或軸承磨損后間隙過大，通電后分布磁場不均衡而吸死。4、管套內(nèi)高壓打火。

此類故障發(fā)生時，報警顯示過載（這和球管漏氣有相似之處，需仔細鑒定）；輕微的，并伴有從球管中發(fā)出“啪、啪”的高壓打火聲。此時機器雖能工作，但球管已受到破壞，應時停止使用。

5、球管漏油。球管漏油主要是由于密封件的損壞造成。

總而言之，維修工作需要扎實的專業(yè)技能和實踐經(jīng)驗，這兩者是必不可以少的。專業(yè)知識的積累可以通過大量的閱讀書籍來實現(xiàn)，但是實踐經(jīng)驗的積累就需要我們不斷的認識新問題，解決新問題來填充。維修儀器的技術同其他科學技術一樣，都必須非常的嚴謹。因而，在對每一臺設備的維修中，都不能存在僥幸心理。只有從常規(guī)醫(yī)療設備著手，比如電動類醫(yī)療器械、常規(guī)檢驗儀器等等。把這些小事做好，逐步積累經(jīng)驗，才能著手對精密儀器進行維修和保養(yǎng)。、

當然，每一項的維修工作都需要維修人員具有高度的責任心，積極的工作態(tài)度和精湛的專業(yè)技能。因為，無論你有多么高深的技術，如果無法對工作負責，那么也不可能圓滿的完成一項任務。

擴展閱讀：半導體設備維修心得體會2

設備維修心得體會

設備維修工作是一項技術性很強的工作，今天叫我談談維修工作的一些經(jīng)驗、技巧，我也談不出什么東西，只是談談我在設備維修工作中一些心得體會，和大家進行交流，僅供大家參考，有錯誤的地方請大家指出。我所講的這些，只是起一個拋磚引玉作用，希望大家能將平時在設備維修工作中積累的好經(jīng)驗、好方法展現(xiàn)給大家，相互交流、相互學習，共同提高。

今天的介紹分為（一）設備維修人員基本要求（二）設備維修基本方法（三）幾種常用器件好壞判別（四）如何讀圖，基本電路分析（五）幾個維修實例5個部分。

一.設備維修人員基本要求

設備維修是技術性很強的一項工作，現(xiàn)在不少大學設有設備維修專業(yè)。專門對大學生傳授設備維修方面的專門知識，研究設備維修新方法、新思路、新設備。

我們公司的大部分設備是日本、美國等外國生產(chǎn)的設備，一般是上世紀80年代后的產(chǎn)品，大多采用了微機控制、可編程控制器、機電一體化、高真空、高能粒子磁控等等技術，技術相當復雜。這就要求維修人員要有相當?shù)奈�機、機電一體化、光學、真空的獲得和測量、高能粒子等等基礎知識。

設備維修是一項枯燥的工作，又是艱苦工作。每天就是給故障設備治病，有時面對故障，束手無策。甚至很長時間找不到故障的確切原因。這就需要設備維修人員要有敬業(yè)精神，愛崗敬業(yè)，堅忍不拔，孜孜不倦，刻苦探索。

設備維修是一門不斷發(fā)展、不斷更新的應用技術。設備維修技術是由二部分組成：基礎理論和實踐經(jīng)驗的積累融合�；�礎理論知識固然重要，如何靈活應用基礎知識正確分析錯綜復雜故障現(xiàn)象，如何能迅速準確判斷故障原因，這就要求我們在維修工作中不斷總結，不斷提高。要將現(xiàn)場維修經(jīng)過自己加工提升，變成自己的經(jīng)驗積累。同時，由于科學技術的飛速發(fā)展，各種新工藝、新器件、新材料、新技術不斷涌現(xiàn)，這就要求我們不斷學習，不斷充電，用新知識、新技術不斷充實自己，刷新自己。

設備出現(xiàn)的故障各式各樣，錯綜復雜，而我們每個人發(fā)現(xiàn)問題分析問題的方法都有其局限性，難免有時會陷入束手無策、進退兩難的窘境。如果我們大家團結協(xié)作，各抒己見，取長補短，許多問題不難解決。這就需要我們維修人員要有團隊精神、協(xié)作精神。二.設備維修的基本方法

設備維修人員和醫(yī)生差不多，就是給設備治病。遇到設備出現(xiàn)故障，首先是

1.仔細觀察，基本確定故障范圍。一臺設備壞了，首先要仔細的看，仔細的聞。有沒有電子元件燒壞，如電阻燒變形，保險絲燒斷，電解電容器電解液冒出來了，有沒有焦糊味………等等。

元器件燒壞只是故障現(xiàn)象，用同樣規(guī)格元器件更換燒壞元器件，有時能解決問題，有時還會繼續(xù)燒。通過仔細觀察，基本確定故障范圍，繼續(xù)尋找故障的根本原因。2.清除設備各部件的沉積的灰塵，以使各電路板、接插件連接良好。

a.我們公司的設備平時維護保養(yǎng)做的比較差，設備內(nèi)部積灰嚴重，在通電之前，必須去除設備內(nèi)部的灰塵。五寸工廠可能好一點，四寸工廠設備內(nèi)部積灰比較普遍。例如四寸的探針臺、計算機測試系統(tǒng)就是如此。建議設備內(nèi)部每年要做一次除塵，用吸塵器或干燥的壓縮空氣除去設備內(nèi)部灰塵。如果設備內(nèi)部大量積灰，灰塵又吸收空氣中的水分，造成設備內(nèi)部漏電、短路，或者影響高頻電路的分布參數(shù)，嚴重影響設備的安全運行。

b.檢查各連接插頭是否接觸良好。

我們檢修的設備大多是二手設備，一般運行了一、二十年，許多插頭、連接器存在接觸不良。我們要仔細將各插頭、連接器用觸點清洗劑、無水乙醇清洗干凈，去除氧化層。有的插頭插座和電路板連接的焊腳出現(xiàn)氧化虛焊，需要去除氧化層，用烙鐵重新焊一遍，消除虛焊接觸的隱患。去年四寸的減薄機故障，顯示器顯示內(nèi)容不對，主要原因是電纜連接插座的焊腳和電路板氧化虛焊。最近，四寸一臺探針臺步進電機在AUTO方式，步進電機不能正常運行，也是由于虛焊引起。

3.通電檢查控制系統(tǒng)的各路供電電壓，測量有關器件工作點并綜合分析，縮小故障查找范圍。

a.設備通電之前，要查清楚設備的供電電壓，千萬不能弄錯。110V不能插到220V,避免造成更大故障。

TTL數(shù)字電路、微機控制部分電壓5V±0.2V。CMOS數(shù)字電路供電電壓有5V,9V,12V,15V……

運算放大器供電電壓有單電源供電5V,12……等等，雙電源供電電壓有±6V,±12V,±15V等等。繼電器供電電壓有5V,6V,12V,15V.24V等等。

電源電壓正常是設備正常運行的最基本條件，這是設備維修的一個重點。我們平時維修的設備故障60%以上是電源故障。在電源故障中，由于我們的設備不少已使用了十年以上，電解電容電解液干枯，電容量變小，漏電增加，退耦能力減少，以至不少微機運行過程不穩(wěn)定，常常死機，我們首先要檢查的應該是+5V±0.2V電源，這一點我們不能忽視。

d.對單板機、單片機它的信號傳送、檢測、處理都是動態(tài)進行的，維修比較困難。如果單板機、單片機出現(xiàn)故障，我們首先檢查其供電電壓、CPU的復位電路、時鐘振蕩電路。時鐘脈沖可用示波器檢測，讀出其頻率、脈寬、占空比是否符合CPU要求。檢測有關TP點信號波形，以便分析對比。如果對某一塊電路板懷疑，可用備用板或同樣的電路板替換，看看結果有沒有變化。電路板替換，IC替換，這是常用的一種維修方法。

e.對線性電路，無非是由一些晶體管、電阻、電容、運算放大器組成。我們可通過測量關鍵器件的工作點來判斷。晶體管工作在線性狀態(tài)，EB壓降大致為0.7伏，BC結一定為反偏。晶體管工作在開關狀態(tài)，EB結也為反偏，可為-0.01-0.7V不等，該電壓由占空比和脈沖頻率決定。如果某一晶體管工作點不正常，先用數(shù)字萬用表粗略判斷晶體管，再查其偏置電路。如果偏置電路沒有問題，應將晶體管卸下來，再用QT-2測一下BVceo、Icbo、Iceo，萬用表測晶體管只是大致判斷。準確判斷晶體管好壞，應用QT-2檢測。

運算放大器的基本功能和晶體管相似，可工作在線性放大狀態(tài)，也可工作在開關狀態(tài)。

運放工作在放大狀態(tài)，二個輸入端壓降很小，有的幾乎一樣。輸出電壓在正負電源之間，并和正負電源有一定壓差。運放工作在開關狀態(tài)，二個輸入端壓降較大，輸出不是接近正電源，就是接近負電源。對于單運放判斷其好壞，可以自己做一個測試工具，如下圖A：

R310KINR25KR13k231W12KU17+12VLM74165R42KOUT4-12V在萬用面包板焊一個8腳IC插座，按圖焊上電阻、電位器。將IN端接地，調(diào)W1，輸出為零。如果IN端接1V電壓，OUT端得到2V電壓，那么這個運放是一個好運放。圖A是比例放大器。U1工作在線性放大狀態(tài)。

或按圖B在面包板上IC插座

在U3、U4二個IC插座插上uA741,或管腳和741一樣的運算放大器，加電后，如果在TP1端出現(xiàn)方波，在TP2端出現(xiàn)三角波，則這二個運放是好的，否則對應的運放不是好的。從圖B中看出U3有二個反饋網(wǎng)絡，R3、W1組成正反饋，積分器U4和R2相移回路。TP1輸出方波，TP2輸出三角波。U3、U4工作在開關狀態(tài)。20KR3+12VW14.7KC11u+12V7332R110KU3UA741TP16R45.1KW24.7K2U4UA741R510K67TP24-12VR210K4-12V圖B

f.對74系列4000系列IC好壞判斷，可用編程器檢測。

3.有的控制器工作不穩(wěn)定，特別是微機控制器，工作過程中時好時壞，常常死機�？刂破鞴ぷ饕欢螘r間，關機冷卻，再開機還能工作。單獨檢查各個IC,都沒有發(fā)現(xiàn)問題。這類故障往往是由于微機工作年代長，元器件性能老化，工作電流增加，系統(tǒng)發(fā)熱量增加，局部區(qū)域工作環(huán)境溫度太高，如果對電路板加大吹風散熱，降低局部工作環(huán)境的溫度，往往可以解決問題。

（三）幾種常用器件的好壞判別。

（1）SCR可控硅是我們接觸得比較多的器件。

一、可控硅的工作原理

可控硅是可控硅整流器的簡稱。它是由三個PN結四層結構硅芯片和三個電極組成的半導體器件。圖3-29是它的結構、外形和圖形符號。

KGA圖3.30塑封模塊

可控硅的三個電極分別叫陽極(A)、陰極(K)和控制極(G)。當器件的陽極接負電位(相對陰極而言)時，從符號圖上可以看出PN結處于反向，具有類似二極管的反向特性。當器件的陽極上加正電位時(若控制極不接任何電壓)，在一定的電壓范圍內(nèi)，器件仍處于阻抗很高的關閉狀態(tài)。但當正電壓大于某個電壓(稱為轉(zhuǎn)折電壓)時，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導狀態(tài)。加在可控硅陽極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時，器件處于關閉狀態(tài)。此時如果在控制極上加有適當大小的正電壓(對陰極)，則可控硅可迅速被激發(fā)而變?yōu)閷�通狀態(tài)。可控硅一旦導通，控制極便失去其控制作用。就是說，導通后撤去柵極電壓可控硅仍導通，只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負值時，器件才可恢復到關閉狀態(tài)。圖3-30是可控硅的伏安特性曲線。

圖中曲線I為正向阻斷特性。無控制極信號時，可控硅正向?qū)�通電壓為正向轉(zhuǎn)折電壓(UB0)；當有控制極信號時，正向轉(zhuǎn)折電壓會下降(即可以在較低正向電壓下導通)，轉(zhuǎn)折電壓隨控制極電流的增大而減小。當控制極電流大到一定程度時，就不再出現(xiàn)正向阻斷狀態(tài)了。

曲線Ⅱ為導通工作特性�？煽毓鑼�通后內(nèi)阻很小，管子本身壓降很低，外加電壓幾乎全部降在外電路負載上，并流過比較大的負載電流，特性曲線與二極管正向?qū)�通特性相似。若陽極電壓減小(或負載電阻增加)，致使陽極電流小于維持電流IH時，可控硅從導通狀態(tài)立即轉(zhuǎn)為正向阻斷狀態(tài)，回到曲線I狀態(tài)。

曲線Ⅲ為反向阻斷特性。當器件的陽極加以反向電壓時，盡管電壓較高，但可控硅不會導通(只有很小的漏電流)。只有反向電壓達到擊穿電壓時，電流才突然增大，若不加限制器件就會燒毀。正常工作時，外加電壓要小于反向擊穿電壓才能保證器件安全可靠地工作。

可控硅的重要特點是：只要控制極中通以幾毫安至幾十毫安的電流就可以觸發(fā)器件導通，器件中就可以通過較大的電流。利用這種特性可用于整流、開關、變頻、交直流變換、電機調(diào)速、調(diào)溫、調(diào)壓及其它自動控制電路中。二、可控硅的主要技術參數(shù)

1．正向阻斷峰值電壓(VPFU)

是指在控制極開路及正向阻斷條件下，可以重復加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80％。2．反向阻斷峰值電壓(VPRU)

它是指在控制極斷路和額定結溫度下，可以重復加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為最高反向測試電壓值的80％。3．額定正向平均電流(IF)

在環(huán)境溫度為+40C時，器件導通(標準散熱條件)可連續(xù)通過工頻(即指供電網(wǎng)供給的電源頻率．一般為50Hz或60Hz，我國規(guī)定為50Hz)正弦半波電流的平均值。4．正向平均壓降(UF)

在規(guī)定的條件下，器件通以額定正向平均電流時，在陽極與陰極之間電壓降的平均值。

5．維持電流(IH)在控制極斷開時，器件保持導通狀態(tài)所必需的最小正向電流。6．控制極觸發(fā)電流(Ig)

陽極與陰極之間加直流6V電壓時，使可控硅完全導通所必需的最小控制極直流電流。

7．控制極觸發(fā)電壓(Ug)

是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷�通狀態(tài)時控制極上所加的最小直流電壓。普通小功率可控硅參數(shù)見表3-lO。

表3-10普通小功率可控硅參數(shù)

額定正向平均正向阻斷峰值反向阻斷峰值型號電流（A）3CT13CT53CT103CT201*1020電壓（V）30～300030～300030～300030～3000電壓（V）30～300030～300030～300030～3000最大正向平均壓降（V）1.21.21.21.2維持電流（mA）＜20＜40＜60＜60控制極觸發(fā)電壓（V）＜2.5＜3.5＜3.5＜3.5控制控制極最大允許正極電流（mA）＜20＜50＜70＜71向電壓（V）10101010*正向阻斷峰值電壓及反向阻斷峰值電壓在30～3000范圍內(nèi)分檔。

三、多種用途的可控硅

根據(jù)結構及用途的不同，可控硅已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；①快速可控硅。這種可控硅可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關、電脈沖加工電源、激光電源和雷達調(diào)制器等電路中。②雙向可控硅。它的特點是可以使用正的或負的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導通。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等。③逆導可控硅。主要用于直流供電車輛(如無軌電車)的調(diào)速。④可關斷可控硅。這是一種新型可控硅，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導通，而用負的控制極脈沖可以關斷陽極電流，恢復阻斷狀態(tài)。利用這種特性可以做成無觸點開關或用于直流調(diào)壓、電視機中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。

可控硅的用途很廣泛，下面僅舉兩例來說明可控硅電路的工作過程。

圖3-31是采用雙基極管的可控硅調(diào)壓電路，D1～D2組成全波橋式整流電路。BG雙基極管構成可控硅的同步觸發(fā)電路(是一個張弛振蕩器)。整流電壓經(jīng)電阻R1降壓后加在A、B兩點。整流后脈動電壓的正半周通過R4、W向電容C充電，當充電電壓達到雙基極管峰點電壓UP時，BG由截止轉(zhuǎn)為導通，電容C通過b1e結及R。迅速放電，其放電電流在R。上產(chǎn)生一個尖脈沖，成為觸發(fā)可控硅(SCR)極的觸發(fā)信號，從而導致可控硅導通。可控硅導通后其正向壓降很低，所以張弛振蕩器即停止工作，電源電壓過零時(由于無濾波電容，故為單向脈動電壓)可控硅就自動關斷。待下一個正半周到來時，電容C又充電，重復上述過程。因而串聯(lián)于整流電路的負載RL上就得到～個受控的脈沖電壓。電容C的充電速度與R4、、W及C的乘積有關，所以調(diào)節(jié)W之值，即能改變電容C充電到U，值的時間．也就可以改變可控硅的導通時間，從而改變了負載上電壓的大小。

圖3-32是一種利用可控硅做成的感應(接近)開關。它是利用人體電容和電阻與電路上電容C1，并聯(lián)促使氖管N導通點燃，從而在電阻R1上產(chǎn)生可控硅的觸發(fā)信號，使可控硅導通，點著串于可控硅電路里的燈泡。也可在電路里串接繼電器，帶動其他電器裝置的開啟或關閉。

我們用得多的是擴散爐，也是利用可控硅的調(diào)壓功能。控制器通過改變可控硅

的導通時間寬度自動調(diào)節(jié)爐絲兩端電壓，保持爐體內(nèi)部溫度穩(wěn)定。

R011502WSSRG1ViVPULSEG2400v2AR021502WW1W2Vsin67VAC爐絲如上圖是可控硅觸發(fā)電路，Vi輸出脈寬變化的脈沖串，SSR兩個觸點吸合的時間長短也隨之變化。觸點吸合時，W1上正下負，上端正電位通過R01、G1、SSR、G2到達W1的觸發(fā)極，W1導通，W2沒有正向觸發(fā)電壓而截止。如果W1電位是上負下正，那么正電位通過R02、G2、SSR、G1到達W2的觸發(fā)極，W2導通，W1沒有觸發(fā)電流而截止。

如果改為下圖連接，W1的觸發(fā)信號沒有限流電阻，70多伏的電壓經(jīng)SSR直接加到W1的觸發(fā)極，觸發(fā)電流很大，W1、SSR將被燒壞。W2沒有觸發(fā)信號，不可能導通。R011502WSSRG1ViVPULSEG2400v2AR021502WW1W2Vsin67VAC爐絲四、用萬用表檢查可控硅的好壞

1．判定可控硅的電極

小功率可控硅的電極從外形上可以差別，一般陽極為外殼，陰極線比控制極引線長，如圖3-29所示。如果其它型式的封裝，不知電極引線時可以用萬用表的電阻檔進行判別。從可控硅的結構圖上可以看出，陰極與控制極之間有一個PN結，而陽極與控制極之間有兩個反向串聯(lián)的PN結。用電表R×100檔先測出控制極。方法是將負表筆試接某一電極，正表筆依次碰觸另外兩個電極，假如有一次阻值很小(約幾百歐姆)，另一次阻值很大(約幾千歐姆)，說明負表筆接的正是控制極(G)。在阻值小的那次測量中，接正表筆的一端是陰極(C或K)，阻值大的那次，接正表筆的是陽極(A)；若兩次測出的阻值均很大，說明負表筆接的不是控制極，應更換另外一個電極，重復上述判別．2．檢查可控硅的好壞

對于一個良好的可控硅應包括以下內(nèi)容：①三個PN結均是良好的；②可控硅反向電壓時能夠阻斷，不導通；⑧可控硅正向在控制極開路時能夠阻斷；④如果控制極加了正向電流，而陽極加正向電壓時可控硅可以導通，且撤去控制極電流后仍能維持導通。對于前三項可以通過測量極間電阻的方法判別，后一條要進行導通試驗。(1)測極間電阻。用萬用表電阻檔測陽極與控制極之間、陽極與陰極之間的電阻。注意，宜用電表電阻最高檔，阻值均應很高。如阻值很小，并用低阻檔再量阻值仍較小，表明可控硅已擊穿、管子是壞的。陽極和陰極之間的正向電阻值(即陽極接負表筆，陰極接正表筆時阻值)，反映可控硅正向阻斷特性，阻值愈大，表示正向漏電流愈小。陽極與陰極之間的反向阻值反映可控硅的反向阻斷特性，阻值愈大，表示反向漏電流愈小。

測控制極與陰極之間的電阻。用R×10或R×100檔測量為宜。如果正向電阻(控制極接負筆，陰極接正筆)極大，接近∞處，表示控制極與陰極之間已經(jīng)燒毀，管子已壞。至于反向電阻應很大，不過有些管子控制極與陰極之間的反向電阻并不太高，這也是正常的。表3-11給出測量3CT5B可控硅的G、C極間電阻數(shù)據(jù)，供參考。

表3-113CT5可控硅G、C極間電阻值

表筆接Aeq\\o\\ac(○,-)Aeq法萬用表檔次R×1R×10R×1KCeq\\o\\ac(○,+)\\o\\ac(○,+)Geq\\o\\ac(○,-)GeqCeq\\o\\ac(○,+)Aeq\\o\\ac(○,-)AeqGeq\\o\\ac(○,+)Geq\\o\\ac(○,-)Ceq\\o\\ac(○,-)\\o\\ac(○,+)45Ω120Ω1.4KΩCeq\\o\\ac(○,-)\\o\\ac(○,+)100KΩR×10K2KΩ50KΩ(2)導通試驗。利用萬用表的直流電流檔(100mA檔或更大些電流檔)，需外加6V直流電源，按圖3-33所示電路接好。先不合開關K，此時電流表指示應很小(正向阻斷)，當K閉合時電流應有100mA左右。電流若很小表明管子正向壓降太大或已損壞。再斷開K，電表指示應仍為100mA左右基本上無變化。切斷6V電源再一次重復上述過程，如一切同前表示管子導通性能是良好的。在沒有萬用表時，用6.3V小燈泡代替電表也可以，導通時燈泡亮。

（3）用QT-2測可控硅可靠準確。陽極A接C插孔，陰極K接E插孔，觸發(fā)極G接B插孔，根據(jù)可控硅技術條件設置測試要求。

（2）單結晶體管

單結晶體管的結構和電路符號如圖3-34所示。因為它只有一個PN結，所以稱為單結晶體管。但由于它有兩個基極，故又稱雙基極二極管。它的外形與三極管相似，也有三只管腳，其中一個是發(fā)射極(e)，另外兩個是基極(b1和b2)。它是一種具有負阻特性的器件(電流增加而電壓降反而減小的特性)。圖3-35是它的伏安特性曲線及等效電路。雙基極管可組成弛張振蕩器、自激多諧振蕩器以及定時延時等電路，具有電路結構簡單、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

B1EB

從雙基極管的伏安特性可以看清其工作原理。當兩基極b1、b2間加上電壓Ubb時(參見典型應用電路(圖3-36)，等效電路中A點電壓為

式中可稱為單結管的分壓比，是由管子內(nèi)部結構所決定的，一般為0.3～0.9之間。

輸入電壓U＜ηUbb時，發(fā)射極與基極之間的PN結處于反向偏置，管子截止，電流很小。

當輸入電壓Ube＞ηUbb+UD時，(UD為二極管正向壓降約為0.7V)PN結正向?qū)щ�，Ie明顯增加，rbl阻值迅速減小，Ue相應下降。這種電壓隨電流增加反而下降的特性就是雙基極管的負阻特性。管子由截止區(qū)進入負阻區(qū)的交界點稱為峰點。與其對應的發(fā)射極電壓和電流分別稱為峰點電壓VP和峰點電流IP，顯然UP≈ηUbb。

隨著發(fā)射極電流Ie不斷增加，Ue不斷下降，降至某一點時不再下降了，這一點稱為谷點。谷點之后管子特性進入了飽和區(qū)。與谷點對應的發(fā)射極電壓Uu與發(fā)射極電流Iu分別稱為谷點電壓和谷點電流。顯然Uu是維持單結管導通的最小發(fā)射極電壓，只要Ue>Uu管子又會重新截止。

特性進入飽和區(qū)后，發(fā)射極與第一基極間的電流達到飽和狀態(tài)，所以Ue繼續(xù)增加時，Ie增加不多。

用雙基極管組成弛張振蕩器的元件作用及其取值可參照表3-12.

表3-12弛張振蕩器的元件作用及取值

電路元件取值范圍作用R1（Ω）10kΩ～3MΩR2（Ω）R3（Ω）C（μF）200Ω～600Ω50Ω～1000Ω0.047～0.5μF過大，過小電路均不能起振用作溫度補償影響輸出脈沖幅度與寬度影響輸出脈沖頻率與脈寬振蕩頻率可以通過改變R1和C的數(shù)值來調(diào)整，R1和C越小振蕩頻率越高．振蕩周

期可以用以下近似公式計算：壓比(手冊上可查到)。（3）GTR

式中：為自然對數(shù)，η為管子分

電力晶體管也稱巨型晶體管（GTR:GiantTransistor），GTR是一種電流控制的雙極雙結大功率、高反壓電力電子器件，具有自關斷能力,產(chǎn)生于本世紀70年代，其額定值已達

1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具備晶體管飽和壓降低、開關時間短和安全工作區(qū)寬等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所組成的電路靈活、成熟、開關損耗小、開關時間短，在電源、電機控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應用廣泛。GTR的缺點是驅(qū)動電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞。在開關電源和UPS內(nèi)，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符號如圖1,和普通的NPN晶體管一樣。

封裝都是塑封模塊形式。

圖1電力晶體管的符號

GTR的基本特性A.靜態(tài)特性共發(fā)射極接法時的典型輸出特性：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。在電力電子電路中GTR工作在開關狀態(tài)，即工作在截止區(qū)或飽和區(qū)。在開關過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時，要經(jīng)過放大區(qū)。B.動態(tài)特性開通過程：

延遲時間td和上升時間tr，二者之和為開通時間tn。td主要是由發(fā)射結勢壘電容和集電結勢壘電容充電產(chǎn)生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可縮短延遲時間，同時可縮短上升時間，從而加快開通過程。關斷過程：

儲存時間ts和下降時間tf，二者之和為關斷時間toff。ts是用來除去飽和導通時儲存在基區(qū)的載流子的，是關斷時間的主要部分。減小導通時的飽和深度以減小儲存的載流子，或者增大基極抽取負電流Ib2的幅值和負偏壓，可縮短儲存時間，從而加快關斷速度。負面作用是會使集電極和發(fā)射極間的飽和導通壓降Uces增加，從而增大通態(tài)損耗。GTR的開關時間在幾微秒以內(nèi)，比晶閘管和GTO都短很多。C.GTR的主要參數(shù)

GTR的主要參數(shù)有：電流放大倍數(shù)b、直流電流增益hFE、集射極間漏電流Iceo、集射極間飽和壓降Uces、開通時間ton和關斷時間toff。此外還有：最高工作電壓

GTR上電壓超過規(guī)定值時會發(fā)生擊穿。擊穿電壓不僅和晶體管本身特性有關，還與外電路接法有關：

BUcbo>BUcex>BUces>BUcer>Buceo

實際使用時，為確保安全，最高工作電壓要比BUceo低得多。集電極最大允許電流IcM

通常規(guī)定為hFE下降到規(guī)定值的1/2~1/3時所對應的Ic。實際使用時要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一點。集電極最大耗散功率PcM

最高工作溫度下允許的耗散功率GTR的二次擊穿現(xiàn)象與安全工作區(qū)。1）一次擊穿

集電極電壓升高至擊穿電壓時，Ic迅速增大，出現(xiàn)雪崩擊穿。只要Ic不超過限度，GTR一般不會損壞，工作特性也不變。2）二次擊穿

一次擊穿發(fā)生時Ic增大到某個臨界點時會突然急劇上升，并伴隨電壓的陡然下降。常常立即導致器件的永久損壞，或者工作特性明顯衰變。3）安全工作區(qū)（SafeOperatingAreaSOA）

最高電壓UceM、集電極最大電流IcM、最大耗散功率PcM、二次擊穿臨界線限定。(4)IGBT

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的代號。

IGBT簡稱絕緣門柵極晶體管（縮寫IGT）。它是將MOSFET和GTR集成在一個芯片上的復合器件。功率MOSFET是單極型電壓驅(qū)動器件。它就有工作速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好以及驅(qū)動電路簡單特點，但它導通電阻較大，電流容量也較低，而GTR是雙極型電流驅(qū)動器件，其阻斷電壓高，載流能力強，但工作速度較慢，驅(qū)動電流大、控制電路較復雜。這兩類器件的缺點限制了它們的發(fā)展。目前出現(xiàn)許多新型復合器件，如MOS/雙極復合晶體管，MOS/雙極復合晶閘管，這些新型電力電子復合器件，集合了單極和雙極型器件各自的優(yōu)點。IGBT發(fā)展得很快，這種復合器件屬于晶體管類，它既可以作為開關用，也可以作為放大器件用。他具有良好的特性，很是合作中頻電源的逆變器開關用。

電路符號如右圖封裝都是塑封模塊形式。GTR、IGBT一般都用于大功率驅(qū)動。我們

公司主要在變頻調(diào)速器用了GTR.它的靜態(tài)電特性可用QT-2測量。更換功率晶體管、GTR、IGBT一定要在散熱板面涂上散熱硅脂，固定螺絲一定要旋緊。

（5）MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET

（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的箭頭方向是從外向內(nèi)，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。

SDG我們常用的是功率MOS管，如2SK2126,塑料封裝如上圖。將數(shù)字萬用表功能選擇放在二極管測量檔，正表棒接S極，負表棒接G極，再測SD之間，顯示為超量程1。如果正表棒接G極，負表棒接S極，再將正表棒接D極，負表棒接S極，萬用表顯示幾十，則功率MOS管是好的。當然也可以用QT-2檢測功率MOS管的好壞。

（6）光控繼電器。這在JUNO-DTS1000計算機測試系統(tǒng)用了不少。這是一個比較特殊的半導體器件，不同于光電耦合器。它輸出端導通電阻小，不分電壓極性。檢測其好壞，可用+5V

12348765電源串一個1K電阻加到1、3腳，2、4腳接電源的負端。用數(shù)

字萬用表二極管檔測5、6端，7、8端，萬用表鳴叫則這個光控繼電器就是好的。

（四）如何讀圖

我們維護修理設備，必須看懂電路圖，并掌握分析電路的基本方法。不管多麼復雜的電路，它都是一個個基本單元電路組成。就模擬電路而言，都是由各種比例放大器、比較器、積分器、功率放大器……組成。對數(shù)字電路，也是對各種數(shù)字信號與、或、非、延時、移位，編碼、解碼……組成，要能正確分析電路原理，必須熟悉各單元電路的基本功能或真值表，以及這些單元電路的正確組合。

R10V4R1310K610K2U4TL0813R1491R910KV326TL081U33R810K+12VR70.1R1215KDAC輸出R31KR11K4+12VQ1R410KVin32U1A1VinTL08223U26TL081Q2V1R110.5V28-12VR55.1KR60.1-12VRL30R21K1.四寸五寸工廠都有不少晶體管參數(shù)自動測試儀，這些計算機測試系統(tǒng)都用了大量數(shù)字恒流源。譬如測晶體管放大倍數(shù)Hfe,設定Ib=100uA。計算機根據(jù)設定測試條件，使恒流源輸出100uA，給被測晶體管提供基極電流。

如上圖所示是一個簡單數(shù)字直流恒流源電路，計算機根據(jù)程序輸出數(shù)字信號經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換器變?yōu)?/p>

模擬信號[DAC],加到電位器R3的一端。R3分壓[DAC]設定值加給電壓跟隨器U1。U3是反向加法器，一路輸入為[DAC]的控制信號Vin,一路輸入為U4輸出的反饋信號；還有一路是U3加法器的反饋，反饋電阻是R8。由于U2輸出電流能力不夠，加了晶體管Q1、Q2進行擴流。Q1Q2組成推挽式電路，兩管輪流導通放大。U5是電壓跟隨器，輸入阻抗很高，基本對輸出電流分流很小。因此流經(jīng)R11的電流全部流入負載RL。U3是反相放大器，放大倍數(shù)是-1。

Q1、Q2集電極串聯(lián)電阻很小，基本還是跟隨器。V1/R8=-(Vin/R4+V4/R13)V1=-(Vin+V4)由于U3電壓跟隨特性，U4反相器，V4=-V3=-V2V1=-Vin+V2

所以V1-V2=-Vin即流經(jīng)R11的電流全部由Vin決定。IR11=V1-V2/R11由于U3跟隨器，輸入阻抗高，流經(jīng)負載RL的電流完全由輸入設定電壓決定，實現(xiàn)了壓控直流電流源的功能。

Iout=Vin/R11

如果，選擇一串不同阻值的電阻，或不同Vin,就可以得到不同電流的電流源。

XSC1ExtTrig+_A+_+B_01R515kR439kV240R162.04650V0R7100kR102.0kR11451.0k39Q338412N1132AQ12N2221AQ8Q92N2222A50D2VEE-15VVEE41N414835312N2222AQ102N2222AR8D1R175153.3k1N4148330R3601.0k592R201.051R211.0R62.0kV10.8V1kHz0Deg00052U137156TL061MJGR2710kR11.6kR2D41N4148R15R93.3k361.0kQ6482N1132AQ7R283001.6kVCCVCC15V322N1132AD31N4148Q5Q2Q42N1132AXSC237ExtTrig+_A+_+B_2N1132A4302N2222A42R12100kR18100kR142.0kR131.0k44R192.0V34750V05558R252.4kVCCVEE-15VVEE4215V5751VCC736U32R2410k56U2246TL061MJGTL061MJG5173VCCR260VEE532.4kVEEVCC15VR231.0k-15V

上圖是JUNO-DUT1000計算機測試系統(tǒng)中應用的電壓源、電流源功率放大器，和上面電流源實質(zhì)差不多，就是一個功率放大器，只不過多了一些反饋回路，可用Multisim201*、Protel99SE軟件進行仿真、分析。Multisim、Protel軟件是很好電路設計仿真工具，特別是Multisim軟件工具多，仿真形象直觀，可以實時看到各節(jié)點波形、工作點。這對于增加對電路的分析理解是非常有用的。2.厚度測試儀

4寸工廠有一臺金屬厚度測試儀，它內(nèi)部電路由許多運放組成。儀器小巧，結構緊湊，可以測鋁、金等金屬薄膜的厚度，現(xiàn)將其中單元電路介紹給大家。

儀器內(nèi)部電路由電源、輸入電橋回路、信號放大檢波、自動調(diào)零、數(shù)字顯示電路幾部分組成。電源是由變壓器整流濾波經(jīng)7815、7915、7805輸出三組電壓+15V,-15V.+5V。穩(wěn)幅振蕩器如下圖：

+15VR32+15R34Y1+15VW6R30-15VC13A-2.91-1.61VC13R380V23U90V7+C270V6C161T44MPSA14Q4C14C15-4.06VLM318C2832+R27R33+C294-15C17-15VD7C18R29L1R2226741AU103R28W7R31R25R23D6+15V+15V7C30D526LM318C31U83R26穩(wěn)幅振蕩器4-15VQ4晶體Y1和相關電路組成基本振蕩電路，輸出50KHz正弦波，要求儀器測試準確，信號源產(chǎn)生的正弦波幅度頻率都有嚴格的要求。U9是反相比例放大器，對Q4輸出的信號進行放大。U8、U10取U9的輸出信號檢波、比較，反饋到Q4的基極，穩(wěn)定整個信號源的頻率和幅度。U9、U8是工作在線性狀態(tài)，U10是一個積分器。輸入電橋回路如下圖IN1T4電橋回路44T2A132R54R552+3W9W10OUTR50R51R53L1R52+將上面電路整理一下，是一個標準電橋電路:T2aR(AL)R54R55T2aR5450KHzVSINR53W10OUT50KHzW9VSINW10OUTW9R51R50R52R53R50R51R52

R53L1L1該測試儀利用高頻磁場渦流原理，振蕩器產(chǎn)生50KHz高頻電流加到L1和T2a，產(chǎn)生高頻磁場。傳感器T2a沒有放置金屬薄膜，調(diào)節(jié)W9，使電橋平衡，輸出為零。當T2a上放置一金屬薄膜層，金屬薄膜層上產(chǎn)生渦流，渦流大小由薄膜層材料和薄膜厚度決定。產(chǎn)生的渦流消耗高頻磁場能量，表現(xiàn)為T2a阻抗的變化。電橋失去平衡，其輸出信號也代表薄膜厚度等信息。信號放大檢波電路

信號放大器檢波電路-15V+C223IN32R16R17U5LM318W8C032Q1S8827R19R24U7LM318C3266-0.02V4-15V2U16LM318C21-0.19V+4+C33C20-0.03VR2+15VD2R1R3R4R9C19OUTR6D17+15VR21+7量程選擇Q2S8827R18W3R10R523U3R19A6LM3180.35VU5、U7、U3都是線性放大器，對電橋送來的厚度交變信號進行放大，U1是檢波電路，U3輸出的是經(jīng)過放大厚度直流信號。數(shù)字顯示電路：

數(shù)字顯示電路將信號放大檢波電路的輸出信號經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換，用數(shù)碼管顯示。數(shù)字顯示電路就是一個簡單的數(shù)字電壓表。VR1調(diào)節(jié)7107的基準電壓，配合測量不同金屬材料，設定不同的基準電壓。對鋁，設定4.28，金設定為5.85。同樣POT1也為配合測量不同金屬材料，設定不同的值。對鋁設定為1.35，對金設定為2.45。數(shù)字顯示電路-15VR45+5V26211R44R71MC3200R153135303227IN+Vefr-IN-COMINTBUFAZCrefCrefOSC3U17107C11R48C10R46C8C7R1428290.473334383940Vref+OSC2OSC118171615141312111098765432V-V+GND87654321abacdfgbeecfddpgpdDS19VCCVCC87654321abacdfgbeecfddpgpdDS29367+15V2CALIBRATEJ2-1RaJ1-8VR1J1-7R47Q56CA3140U687654321abacdfgbeecfddpgpd+15VC23J1-3R57R5822232425+3褐POT110KJ2-8灰9VCC514S8827R50W4C24DS3J2-4黃+-15VIN自動調(diào)零電路

-15VR5610K1C12R4222M+15VC25R57+15VC23R58T2A4自動調(diào)零電路7+TO71072323R432.2MC26U126Q5R47D96CA3140U67+23J2-1CA3140褐POT145S8827R50R8-15VW4C24K1-1W5++15V-15VK2-114+0.01VR49-15V23U2W260.52VR12uA741放大器1

-15V5T2a傳感器的次級還有一功能：傳感器上沒有金屬膜，U12-2為負電位，U12-6為正電位，Q5導通，通過一個回路調(diào)零，U6-6輸出為零。傳感器上有金屬膜，U12-2變?yōu)檎�電位，U12-6為負電位，Q5截止，U6-6放大傳感器檢出的厚度信號，給數(shù)字顯示器顯示。

厚度測試儀應用了許多運放，有的做線性放大，有的做積分器，有的做比較器，通過對厚度測試儀電路介紹，我們看到運放在設備、儀器中的廣泛應用。3.步進電機脈沖產(chǎn)生環(huán)行分配電路

下面介紹的是4寸工廠探針臺步進馬達脈沖產(chǎn)生及環(huán)行分配電路。

XSC3GTABCD0VCCVCC5V1.2k1.2k1.2kXSC15VGTABCDR8R9VCCR7R101.2kR15301.0kR161.0kR17R181.0k1.0kR3C122k8R46.8kVCC31U3BC49SN74123D167691011VCC2RTCT2CT2A2B2CLRGND8VCC5VVCC147404N4.7uF-POLC310nF45151412316VCC1RTCT1CT1A1B1CLRGND8U2A1Q~1Q134U5A3456ABCDSLSRS0S1~CLRCLKQAQBQCQD15141312U6D107404N18U5B19202974LS08D2221232474LS08DR111.6k252N2222A26Q3323322nF7U1A27400N12Q~2Q51262.0kR5R6U6CU6B74LS08DR121.6kQ42N2222A271.2k7404NU5F151372910111U474194NU5D7404NR131.6kQ12N2222A28R10R2SN74123D1.6k1.0k00U5C12117404NU6A74LS08D167404NR141.6kQ22N2222A3C50U5E17C2022uF-POL0100nF上圖中U1A是控制門，控制脈沖發(fā)生器什么時候產(chǎn)生脈沖串，什么時候停止輸出脈沖串。即控制馬達運行、停止。單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器U2A,U3B組成脈沖發(fā)生器。

實際電路中，脈沖源還要經(jīng)過計數(shù)器、數(shù)字比較器送給由移位寄存器74LS194、門電路7404、7409組成的脈沖環(huán)行分配器。脈沖環(huán)行分配器如上圖所示。U6輸出一組四相八拍脈沖串，后接功率驅(qū)動電路，驅(qū)動步進馬達。

這個脈沖產(chǎn)生及環(huán)行分配電路全由74系列TTL電路組成。TTL電路電源是+5V,CMOS數(shù)字電路電源電壓范圍比較寬，從5V到18V都可以。（五）維修實例

1.下圖是甩干機電路圖

控制電路是由Z80CPU、二塊8255可編程I/O電路、一塊2716等組成。執(zhí)行電路部分主要是由SG3524組成的脈寬調(diào)變電路、光控可控硅完成吹N2、加熱。微動開關、壓力開關、光電耦合器完成N2壓力、壓縮空氣壓力、門聯(lián)鎖等提供安全聯(lián)鎖信號。甩干機出現(xiàn)故障，要分清沒有外圍聯(lián)鎖信號、微處理器故障，執(zhí)行電路故障。

a.故障現(xiàn)象：一開機燒保險絲。

可能原因：變壓器T1、T2燒壞，電機燒壞。

維修過程：a.脫開電機插頭，不燒保險絲。+12V、+5V電壓正常。

b.檢查電機，電機繞組阻值正常。沒有燒壞的痕跡、焦味。C.更換保險絲，還是燒保險絲。

d.分析可能是保險絲座接觸不好，更換保險絲座，全部恢復，通電后功能正常。b.故障現(xiàn)象：開機后，顯示器顯示9，按START鍵，甩干機沒有反應�？赡茉�因：a.5V電源不正常b.復位電路故障c.軟件損壞

維修過程：檢查5V正常，檢查發(fā)現(xiàn)由C1組成的復位電路不正常，C1使用時間比較長，電解液干

枯，容量減少，漏電增加。更換新電容后，故障排除。

2.故障現(xiàn)象：注入機DF-4束流X-Y掃描電路高壓燈火。

這一故障出現(xiàn)了好幾年，一般秋冬季不易出現(xiàn)，春夏季容易出現(xiàn)，特別當天氣潮濕時，

故障頻繁出現(xiàn)。

掃描電路分前后兩個部分：前面是三角波產(chǎn)生電路，是由Ua741等電路組成。后面

是功率放大電路，由晶體管，電子管組成混合功率放大電路。電子管板極（陽極）供電電壓14000V,陰極供電電壓-14KV。前后兩部分由光電耦合器連接起來，直流特性通道則完全是隔離的。

以前總以為是：ａ.設備老化，空氣潮濕，電路板絕緣性能降低。

b.可能是Ua741損壞。

經(jīng)過干燥處理，用酒精擦擦；或換一個Ua741，故障可以消除。但過一段時間，故障又出現(xiàn)，并且越來越嚴重。

后來，經(jīng)過分析電路的工作過程，完全否定以前的看法。

分析處理：電子管陽極、陰極施加電壓比較高，達+14000V、-14KV。打火就是這個高電壓引起。電子管進行功率放大，應該工作在線性放大區(qū)，正常其陽極電壓應該正幾百伏，陰極電壓負幾百伏。電子管正常工作不會打火。如果電子管處于截止狀態(tài)，其陽極電壓就是14000伏，就會打火。電子管為什么沒有進入線性工作狀態(tài)呢？原來電子管正常工作需要燈絲預熱，設備中有一個延時繼電器，合上電源開關，電子管燈絲加電預熱，不加高壓，延時繼電器開始延時。延時結束，再加上正負14000伏高壓，這樣掃描電路工作正常，就不會出現(xiàn)高壓打火。檢查延時繼電器，延時電容失效，更換同樣規(guī)格電容器，故障根除。

3.SEC-12電子束蒸發(fā)臺高壓控制電路的修理

故障現(xiàn)象：四寸的電子束蒸發(fā)臺SEC-12高壓調(diào)整控制電路出現(xiàn)故障，只要開高壓，高壓就只能加到6000伏左右。

分析處理：這臺蒸發(fā)臺沒有電路圖紙，給電路維修帶來極大困難。對實物仔細觀察，畫了一個草圖。在檢查過程中，拔去燈絲電流調(diào)整板，開機，高壓可以加到10000伏。插上燈絲調(diào)整板，即使不加燈絲電流，高壓也只能加到6000伏左右。后來在燈絲調(diào)整板上，斷開電阻R1,開高壓，高壓可加到10000伏，不報警。量A點電壓VA=-0.25V,不開高壓，VA=-0.16V。檢查高壓調(diào)整板、燈絲電流調(diào)整板、偏轉(zhuǎn)控制板都沒有發(fā)現(xiàn)異常。連上電阻R1,VA=0.01伏，開高壓VA電壓>0.01V。這樣就出現(xiàn)了高壓加不上、高壓報警。

1234+15VCN4--3CN11-14ACN4-14BR38D12D13324R44燈絲電流調(diào)整電路DTL082IC2A1R43D14Tr3-15V6CN11-17A4R40R41R42CN11-20ADR39S2-25CN4-8B810L186R1675C3R10R14D1500VR1CN4-9B13B24B31416Rc10Rd1012R14R135.1MR11R965IC1BTL08274R1412S12CN4-25B8R16+15VR1527BR17R18TP,IC7-11RL149R165R124S3C13+15VC10R53CN4-22AR52R54R51CN4-22BCN11-6ACN11-7AR55R52D15D1656IC3BTL0827D31R28-15VR30Tr1R1928BCR292CN4-21BCN4-23BD031Rb1kRe430K絲燈電調(diào)整電路4R42PINCN4-2CN11-2AR55.1KR56560R7R73+R74220u50V1K2KC1CN4-19BCN11-8ACN3(BUNIT)-14ACN4-20BR11KR2110R32.2K50kX30,30X10Ra1.5MCN11-13A4RL19813CN4-21BCN11-19AD29R16CN11-21ACN6-816A17AB射極跟隨器CN4-20Rb3.3KD0Q1CN4-23B71111R163CN11-6ACN11-7AR4R55.1KR7R73+2KC1220u50VR741KCN4-19BBCN6(E2)-6C112R19R7R6C25R13Rg=1.8K560R11KR3R21102.2KR56VR310.4K82KCN3-11CN6-10CN11-21A12R164CN11-11ACN11-1A8925uACN3-8BCN3-10BR4R5238TP11TL082R9高壓調(diào)整移項觸發(fā)電路A18A19A23A24A26A27Re2KR13311R19117916ACN3-7BR193CN4-24BCN6-12A4PINCN11-24A7R1711R1411711R17R12R11R10+15VA20A25B22R138B2817ACN6-11CN11-23A144根據(jù)檢查結果，在R1前面加了一個射極跟隨器。調(diào)整好電路參數(shù)，以使電路前后級電平基本匹配。在這個電路中，經(jīng)過試驗，VA的電壓在運行過程中，都保持小于零伏。并且原來各種保護電路功能、控制功能正常（過流保護、過壓保護、偏轉(zhuǎn)保護）。Q1的E、B之間加了一個二極管，這不單可以保護Q1的發(fā)射極，還可以當Q1在截止狀態(tài)，A點的電位也繼續(xù)反向跟隨R1的電位。

這臺電子束蒸發(fā)臺已經(jīng)使用了三年多，還是正常的。沒有由于這次電路改動而產(chǎn)生其它故障。

這一例子給了我們一個啟示，有的設備出現(xiàn)故障，由于缺乏圖紙、資料，直接修復有困難，我們也可以采用間接辦法，在保證設備安全，不減少設備功能的前提下，對設備的控制部分進行合理的改動。同樣也可以修好設備故障。以上，是我維修心得的一部分，和大家進行交流。其中可能有不少錯誤，請大家?guī)椭�糾正。

設備維修是技術性很強的一項工作，需要不斷學習，不斷充電，不斷更新。公司組織設備維修技術人員進行技術交流是為大家提供了一個相互學習，取長補短的平臺。我們可以利用這個平臺將我們平時工作中積累的經(jīng)驗和大家一起借鑒；也可以將我們遇到的困難，請大家一起協(xié)助。只要我們大家不斷學習，團結互助，我們的設備維修工作是會做的更好。

+1-CN11-15AIC1AD29-15VR8R14CN4-11A,BD4D5R1523IC2A1TLO82TitleA高壓控制電路SizeBDate:File:Number高壓取樣2Revision25-May-201*G:\\電子束蒸發(fā)臺.ddb4SheetofDrawnBy:

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