在華為工作的一些硬件調(diào)試經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

在華為工作的一些硬件調(diào)試經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

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緒論

調(diào)試筆記都寫在自己的本子上，一直沒(méi)有時(shí)間寫到博客上，最近準(zhǔn)備總結(jié)一下。敬請(qǐng)期待。時(shí)間有些久了，有些情況只是記得大概。大家可參考參考。2浪涌/過(guò)電應(yīng)力損傷

2.1烙鐵接地不良導(dǎo)致MRF184損傷

啟示：測(cè)試系統(tǒng)的儀器必須有外部接地點(diǎn)。

2.2繼電器切換編程電壓導(dǎo)致89C52失效。

89C52的Vpp編程電壓正常為12V，切換時(shí)達(dá)到20V，要串接100歐姆的電阻。啟示：繼電器、開關(guān)機(jī)械式切換觸點(diǎn)一般會(huì)有震蕩，對(duì)于不同的負(fù)載所產(chǎn)生的過(guò)流或過(guò)壓危害需要設(shè)計(jì)中采用阻容或二極管消除抖動(dòng)。

2.3熱插拔產(chǎn)生浪涌

串口允許熱插拔，也要考慮保護(hù)電路。

ADM208E，MAX208

啟示：串口接口芯片用作板間信號(hào)通訊電平轉(zhuǎn)換時(shí)，只要產(chǎn)生或維護(hù)中需要熱插拔，其輸入輸出端就不能直接與外接插座相連，至少應(yīng)串有保護(hù)電阻。3容限3.1時(shí)序

3.1.1Flash寫信號(hào)與片選信號(hào)同時(shí)翻轉(zhuǎn)導(dǎo)致讀操作錯(cuò)誤

28SF040->28SF040

90ns->150ns

啟示：邏輯器件中各信號(hào)要嚴(yán)格按照器件手冊(cè)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，并留有一定余量。

3.1.219M與38M時(shí)鐘關(guān)系臨界時(shí)隙誤碼

SD518

XCS30時(shí)鐘芯片

啟示：多時(shí)鐘之間的正確時(shí)序關(guān)系及容限非常重要，ASIC手冊(cè)必須對(duì)關(guān)鍵時(shí)序描述清晰。3.2驅(qū)動(dòng)能力

3.2.1輸出極限應(yīng)用導(dǎo)致替代出問(wèn)題

DTMF收號(hào)芯片CM8870DI代替MT8870SR（MITEL）全部參數(shù)一致，MT的典型值IOH=4.5nA》0.8nA。

啟示：?jiǎn)伟逶O(shè)計(jì)應(yīng)嚴(yán)格按照數(shù)據(jù)手冊(cè)設(shè)計(jì)，這樣才能保證設(shè)計(jì)容限，才能保證設(shè)計(jì)的產(chǎn)品能夠大批量生產(chǎn)。尤其是掛在數(shù)據(jù)總線上的器件，一定要按照器件手冊(cè)考慮驅(qū)動(dòng)能力。

3.2.2單片機(jī)高電平輸出電流無(wú)法驅(qū)動(dòng)ULN201*

普通數(shù)字電路接口芯片驅(qū)動(dòng)功率芯片，要注意參數(shù)的最小值而不是憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行替換。3.3電源電壓

3.3.1背板電源走線損耗電壓下降的后果

80C320代替80C310

提示：根據(jù)系統(tǒng)的功耗容限，分析器件的電源電壓范圍，保證系統(tǒng)的電源穩(wěn)定。3.4邏輯電平穩(wěn)定

3.4.1TTL電平驅(qū)動(dòng)CMOS電平器件導(dǎo)致單板運(yùn)行不穩(wěn)EM7128-驅(qū)動(dòng)AC16244

提示：多邏輯電平設(shè)計(jì)中，器件的每個(gè)管腳都要注意邏輯電平的配合問(wèn)題，首先保證設(shè)計(jì)正確。

3.5關(guān)鍵參數(shù)取值

3.5.1CPU測(cè)試管腳處理不當(dāng)，上電不開工AMDAM80C816-20替代Intel的N80C186Test管腳下拉電阻過(guò)大

提示：針對(duì)可改變器件工作狀態(tài)的制造廠家自由用特殊管腳，嚴(yán)格按照廠家要求可靠處理。

3.5.2器件測(cè)試輸入管腳懸空帶來(lái)的影響

SD522B-》SD522A

對(duì)于CMOS工藝器件，其未用輸入管腳一定要通過(guò)4.7K上拉或1K電阻下拉，不能懸空。懸空的管腳可能會(huì)引入震蕩，使系統(tǒng)莫名其妙出現(xiàn)問(wèn)題。

3.5.3電容電阻精度不夠產(chǎn)生撥號(hào)音不符合國(guó)標(biāo)

電阻電容等器件的精度選擇似乎是一個(gè)不起眼的小問(wèn)題，但在振蕩電路等于頻率有關(guān)的電路中，需要考慮做好與最壞情況的影響。如溫度對(duì)電容值，運(yùn)放漂移的影響等。3.6溫度容限問(wèn)題

3.6.1未使用溫度補(bǔ)償電路導(dǎo)致基準(zhǔn)電壓在-30oc時(shí)不正常

超常規(guī)溫度范圍的應(yīng)用，需要特別關(guān)注模擬器件并提前進(jìn)行局部電路高低溫試驗(yàn)

3.6.2關(guān)鍵電路未作最差情況分析，異常動(dòng)作。保護(hù)電路是系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，其保護(hù)點(diǎn)區(qū)間是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的指標(biāo)。在設(shè)計(jì)中開展容限分析，特別是溫度器件參數(shù)離散方面的容限分析，可有效提高產(chǎn)品可靠性，降低問(wèn)題更改的代價(jià)。3.7寄存器設(shè)置不當(dāng)，SGRAM無(wú)法達(dá)到最高頻率。

某些廠家不同，其內(nèi)部寄存器設(shè)置也會(huì)存在差異，在發(fā)生器件替代時(shí)充分考慮這種差異帶來(lái)的影響。單板設(shè)計(jì)時(shí)更要注意做到兼容性。

按照器件手冊(cè)設(shè)計(jì)電路時(shí)，對(duì)于器件的一些特性不能只關(guān)心典型值，應(yīng)該按照其特性的分布范圍考慮系統(tǒng)的容差問(wèn)題。

4.1上電復(fù)位MAX807看門狗

復(fù)位電路嚴(yán)格按照規(guī)范

4.2DSP：DSP5630PV800-》DSP5630PV100PT7A4401-》MT90401

內(nèi)部有PLL等上電后需要一定時(shí)間才能穩(wěn)定工作的器件，設(shè)計(jì)時(shí)需按照手冊(cè)處理好上電過(guò)程與正常工作狀態(tài)的切換。

4.3PCI橋芯片SB21150芯片存在BUG對(duì)復(fù)雜器件的上電穩(wěn)定性要做驗(yàn)證，與廠家簽訂合作協(xié)議，保證器件及典型電路作更改時(shí)第一時(shí)間通知公司。

4.4直流電源跌落的影響是多方面的，在網(wǎng)上曾出現(xiàn)多次事故，這與硬件設(shè)計(jì)、單板軟件設(shè)計(jì)都有很大關(guān)系，需要綜合考慮。

4.5DTMF芯片UM91215A需要緩上電。數(shù)�；旌想娐返纳想娫O(shè)計(jì)，對(duì)廠家推薦的電路的更改需要充分驗(yàn)證。

4.6上電時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致器件內(nèi)部功能異常。西門子PEB8091H，網(wǎng)絡(luò)終端控制芯片+5V電源PEB2023提供

對(duì)于有電源緩起動(dòng)的單路單板，每個(gè)器件復(fù)位時(shí)間是否超長(zhǎng)必須進(jìn)行分析驗(yàn)證。

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緒論

調(diào)試筆記都寫在自己的本子上，一直沒(méi)有時(shí)間寫到博客上，最近準(zhǔn)備總結(jié)一下。敬請(qǐng)期待。時(shí)間有些久了，有些情況只是記得大概。大家可參考參考。

12浪涌/過(guò)電應(yīng)力損傷

22.1烙鐵接地不良導(dǎo)致MRF184損傷

啟示：測(cè)試系統(tǒng)的儀器必須有外部接地點(diǎn)。

32.2繼電器切換編程電壓導(dǎo)致89C52失效。

89C52的Vpp編程電壓正常為12V，切換時(shí)達(dá)到20V，要串接100歐姆的電阻。

啟示：繼電器、開關(guān)機(jī)械式切換觸點(diǎn)一般會(huì)有震蕩，對(duì)于不同的負(fù)載所產(chǎn)生的過(guò)流或過(guò)壓危害需要設(shè)計(jì)中采用阻容或二極管消除抖動(dòng)。

42.3熱插拔產(chǎn)生浪涌

串口允許熱插拔，也要考慮保護(hù)電路。ADM208E，MAX208

啟示：串口接口芯片用作板間信號(hào)通訊電平轉(zhuǎn)換時(shí)，只要產(chǎn)生或維護(hù)中需要熱插拔，其輸入輸出端就不能直接與外接插座相連，至少應(yīng)串有保護(hù)電阻。53容限

63.1時(shí)序

3.1.1Flash寫信號(hào)與片選信號(hào)同時(shí)翻轉(zhuǎn)導(dǎo)致讀操作錯(cuò)誤28SF040->28SF04090ns->150ns

啟示：邏輯器件中各信號(hào)要嚴(yán)格按照器件手冊(cè)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，并留有一定余量。

3.1.219M與38M時(shí)鐘關(guān)系臨界時(shí)隙誤碼SD518

XCS30時(shí)鐘芯片

啟示：多時(shí)鐘之間的正確時(shí)序關(guān)系及容限非常重要，ASIC手冊(cè)必須對(duì)關(guān)鍵時(shí)序描述清晰。73.2驅(qū)動(dòng)能力

3.2.1輸出極限應(yīng)用導(dǎo)致替代出問(wèn)題

DTMF收號(hào)芯片CM8870DI代替MT8870SR（MITEL）全部參數(shù)一致，MT的典型值IOH=4.5nA》0.8nA。

啟示：?jiǎn)伟逶O(shè)計(jì)應(yīng)嚴(yán)格按照數(shù)據(jù)手冊(cè)設(shè)計(jì)，這樣才能保證設(shè)計(jì)容限，才能保證設(shè)計(jì)的產(chǎn)品能夠大批量生產(chǎn)。尤其是掛在數(shù)據(jù)總線上的器件，一定要按照器件手冊(cè)考慮驅(qū)動(dòng)能力。

3.2.2單片機(jī)高電平輸出電流無(wú)法驅(qū)動(dòng)ULN201*

普通數(shù)字電路接口芯片驅(qū)動(dòng)功率芯片，要注意參數(shù)的最小值而不是憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行替換。83.3電源電壓

3.3.1背板電源走線損耗電壓下降的后果80C320代替80C310

提示：根據(jù)系統(tǒng)的功耗容限，分析器件的電源電壓范圍，保證系統(tǒng)的電源穩(wěn)定。93.4邏輯電平穩(wěn)定

3.4.1TTL電平驅(qū)動(dòng)CMOS電平器件導(dǎo)致單板運(yùn)行不穩(wěn)EM7128-驅(qū)動(dòng)AC16244

提示：多邏輯電平設(shè)計(jì)中，器件的每個(gè)管腳都要注意邏輯電平的配合問(wèn)題，首先保證設(shè)計(jì)正確。

103.5關(guān)鍵參數(shù)取值

3.5.1CPU測(cè)試管腳處理不當(dāng)，上電不開工AMDAM80C816-20替代Intel的N80C186Test管腳下拉電阻過(guò)大

提示：針對(duì)可改變器件工作狀態(tài)的制造廠家自由用特殊管腳，嚴(yán)格按照廠家要求可靠處理。

3.5.2器件測(cè)試輸入管腳懸空帶來(lái)的影響SD522B-》SD522A

對(duì)于CMOS工藝器件，其未用輸入管腳一定要通過(guò)4.7K上拉或1K電阻下拉，不能懸空。懸空的管腳可能會(huì)引入震蕩，使系統(tǒng)莫名其妙出現(xiàn)問(wèn)題。

3.5.3電容電阻精度不夠產(chǎn)生撥號(hào)音不符合國(guó)標(biāo)

電阻電容等器件的精度選擇似乎是一個(gè)不起眼的小問(wèn)題，但在振蕩電路等于頻率有關(guān)的電路中，需要考慮做好與最壞情況的影響。如溫度對(duì)電容值，運(yùn)放漂移的影響等。113.6溫度容限問(wèn)題

3.6.1未使用溫度補(bǔ)償電路導(dǎo)致基準(zhǔn)電壓在-30oc時(shí)不正常

超常規(guī)溫度范圍的應(yīng)用，需要特別關(guān)注模擬器件并提前進(jìn)行局部電路高低溫試驗(yàn)

3.6.2關(guān)鍵電路未作最差情況分析，異常動(dòng)作。

保護(hù)電路是系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，其保護(hù)點(diǎn)區(qū)間是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的指標(biāo)。在設(shè)計(jì)中開展容限分析，特別是溫度器件參數(shù)離散方面的容限分析，可有效提高產(chǎn)品可靠性，降低問(wèn)題更改的代價(jià)。123.7寄存器設(shè)置不當(dāng)，SGRAM無(wú)法達(dá)到最高頻率。

某些廠家不同，其內(nèi)部寄存器設(shè)置也會(huì)存在差異，在發(fā)生器件替代時(shí)充分考慮這種差異帶來(lái)的影響。單板設(shè)計(jì)時(shí)更要注意做到兼容性。

按照器件手冊(cè)設(shè)計(jì)電路時(shí)，對(duì)于器件的一些特性不能只關(guān)心典型值，應(yīng)該按照其特性的分布范圍考慮系統(tǒng)的容差問(wèn)題。

4.1上電復(fù)位MAX807看門狗

復(fù)位電路嚴(yán)格按照規(guī)范

4.2DSP：DSP5630PV800-》DSP5630PV100PT7A4401-》MT90401

內(nèi)部有PLL等上電后需要一定時(shí)間才能穩(wěn)定工作的器件，設(shè)計(jì)時(shí)需按照手冊(cè)處理好上電過(guò)程與正常工作狀態(tài)的切換。

4.3PCI橋芯片SB21150芯片存在BUG

對(duì)復(fù)雜器件的上電穩(wěn)定性要做驗(yàn)證，與廠家簽訂合作協(xié)議，保證器件及典型電路作更改時(shí)第一時(shí)間通知公司。

4.4直流電源跌落的影響是多方面的，在網(wǎng)上曾出現(xiàn)多次事故，這與硬件設(shè)計(jì)、單板軟件設(shè)計(jì)都有很大關(guān)系，需要綜合考慮。

4.5DTMF芯片UM91215A需要緩上電。數(shù)模混合電路的上電設(shè)計(jì)，對(duì)廠家推薦的電路的更改需要充分驗(yàn)證。

4.6上電時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致器件內(nèi)部功能異常。西門子PEB8091H，網(wǎng)絡(luò)終端控制芯片+5V電源PEB2023提供

對(duì)于有電源緩起動(dòng)的單路單板，每個(gè)器件復(fù)位時(shí)間是否超長(zhǎng)必須進(jìn)行分析驗(yàn)證。

友情提示：本文中關(guān)于《在華為工作的一些硬件調(diào)試經(jīng)驗(yàn)總結(jié)》給出的范例僅供您參考拓展思維使用，在華為工作的一些硬件調(diào)試經(jīng)驗(yàn)總結(jié)：該篇文章建議您自主創(chuàng)作。

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